Program
Committee
J. Abraham, U. Texas at Austin
R. Baumann, Texas
Instruments
E. Boehl, Robert Bosch GmbH
C. Bolchini, Politec. di Milano
D. Bradley, ARM UK
A. Bystrov, U. Newcastle
S. Chakravarty, LSI Logic
Y. Crouzet, LAAS
A. Dandache, U. Metz
P. Fouillat, IXL-ENSEIRB
P. Girard, LIRMM
M. Goessel, U.
Postdam
T. Haniotakis, U. Southern Illinois
J. Hayes, U. Michigan
T. Heijmen, NXP Semiconductors
S.
Hellebrand, U. Paderborn
A. Ivanov, U. Brit.
Columbia
R. Iyer, U. Illinois Urbana
H. Konuk, Broadcom
A. Krasniewski, Warsaw U.T.
S. Kundu, U.
Mass. Amherst
C. Landrault, LIRMM
Y. Makris, Yale
U.
S. Mitra, Standford U.
D. Nikolos, U.
Patras
P. Pande, Washington State U.
I. Parulkar, SUN
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B. Paul, Toshiba
M. Pflanz, IBM
Germany
S. Piestrak, U. Metz
M. Pignol, CNES
D.
Pradhan, U. Bristol
P. Prinetto, Politec. di Torino
M.
Rebaudengo, Politec. di Torino
K. Roy, Purdue U.
P.
Sanda, IBM
J. Segura, U. Illes Balears
J.P. Seifert, U. of Innsbruck
N. Seifert, Intel
M. Sonza Reorda, Politec. di Torino
J. Sosnowski, Warsaw U.T.
L.
Sourgen, STMicroelectronics
B. Straube, Fraunhofer
IIS/EAS
J.P. Teixeira, IST/INESC-ID
N. Touba, U.
Texas
S. Tragoudas, U. Southern Illinois
Y. Tsiatouhas, U. Ioannina
F. Vargas, PUCRS
I. Verbauwhede, K.U.
Leuven
M. Violante, Politec. di Torino
A. Wood, Sun
H.J. Wunderlich, U. Stuttgart
M. Zhang, Intel
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