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Program Committee
J. Abraham, U. Texas at Austin
D. Alexandrescu, iRoC
D. Appello, ST Microelectronics
M. Baklashov, ARM
R. Baumann, TI
M. Benabdenbi, LIP6
N. Bidokhti, Cisco
E. Boehl, Robert Bosch GmbH
N. Buard, EADS
A. Bystrov, U. Newcastle
Y. Cao, Arizona State U.
V. Chandra, ARM
J. Collet, LAAS
G. Di Natale, LIRMM
R. Drechsler, U. Bremen
P. Fouillat, IXL-ENSEIRB
G. Georgakos, Infineon
P. Girard, LIRMM
M. Goessel, U. Postdam
W. Gustin, Infineon
A. Haggag, Freescale
J. Hayes, U. Michigan
T. Heijmen, NXP
S. Hellebrand, U. Paderborn
E. Ibe, Hitachi
A. Ivanov, U. Brit. Columbia
R. Iyer, U. Illinois
A. Krasniewski, Warsaw U.T.
R. Kumar, U. Illinois
S. Kundu, U. Mass. Amherst
R. Leveugle, TIMA
A. Majumdar, AMD/ATI
C. Metra, U. Bologna
M. Miranda, IMEC
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S. Mitra, Stanford U.
F. Monteiro, U. Metz
S. Mukhopadhyaya, Georgia Tech.
D. Nikolos, U. Patras
P. Pande, Washington State U.
C. Papachristou, CWRU
R. Parekhji, TI
B. Paul, Toshiba
Z. Peng, Linkoping U.
S. Piestrak, U. Metz
M. Pignol, CNES
I. Polian, U. Freiburg
D. Pradhan, U. Bristol
P. Prinetto, Politec. di Torino
H. Puchner, Cypress
M. Rebaudengo, Politec. di Torino
K. Roy, Purdue U.
M. Santos, INESC-ID
J. Segura, U. Illes Balears
N. Seifert, Intel
E. Simeu, TIMA Laboratory
A. Singh, Auburn U.
C. Slayman, Sun
H. Stratigopoulos, TIMA
J.-P. Teixeira, IST/INESC-ID
N. Touba, U. Texas
S. Tragoudas, U. Southern Illinois
T. Uemura, Fujitsu Labs
F. Vargas, PUCRS
M. Violante, Politec. di Torino
I. Voyiatzis, TEI Athens
L.-C. Wang, U. C. Santa Barbara
H. J. Wunderlich, U. Stuttgart
Q. Xu, Chinese U. Hong Kong
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